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Kompakte, leistungsstarke Lasermodule für den sichtbaren Spektralbereich

Diodenlasermodul
Blau emittierendes Diodenlasermodul für die Displaytechnologie

Laserstrahlung mit hoher Leistung und guter Strahlqualität im blauen und grünen Spektralbereich von 450 bis 560 nm wird in der Displaytechnologie, Medizin- und Messtechnik benötigt. Die Frequenzverdopplung von Halbleiterlasern eignet sich besonders, um diesen Wellenlängenbereich abzudecken. Aufgrund ihrer kleinen Abmessungen, hohen Effizienz, einstellbaren Emissionswellenlänge und langen Lebensdauer eröffnen derartige Strahlquellen eine kompakte und preisgünstige Alternative zu gängigen Gaslasern. Dem FBH ist es gelungen, hochbrillante Laserstrahlung im sichtbaren Spektralbereich mit hohen Ausgangsleistungen aus einem Modul von der Größe einer Streichholzschachtel zu erzeugen. Die kompakten Module emittieren 1 Watt bei 490 nm bzw. 532 nm mit nahezu beugungsbegrenzter Strahlung und zeigen eine hohe Leistungsstabilität mit Schwankungen < 2%. Als Basis dafür wurden leistungsstarke hochbrillante Pumplaser (DBR-Trapezlaser) entwickelt. Deren Ausgangsleistung P > 10 W, Strahlqualität M² < 3 und Emissionsbandbreite Δλ < 20 pm wurde an die Anforderungen der nichtlinearen optischen Kristalle für die effiziente Umwandlung in sichtbares Licht angepasst.

Weitere Informationen und Ergebnisse zu hybriden Diodenlasersystemen finden Sie auf den Seiten der InnoProfile-Nachwuchsforschungsgruppe am FBH.

Hocheffiziente Mikrowellen-Leistungstransistoren

GaN-Leistungstransistor
GaN-Leistungstransistor für die Kommunikationstechnik

GaN-Leistungs-Mikrowellentransistoren werden in der Kommunikationstechnik, der Radartechnik und im Bereich der industriellen Hochfrequenzerzeugung vielfältig eingesetzt. Das FBH entwickelt derartige Leistungstransistoren für verschiedene Frequenzbereiche und Leistungsklassen und vermarktet diese über seine Ausgründung BeMiTec. Wichtiger Bestandteil der Produktpalette sind 30 W Leistungstransistoren für Leistungsverstärker im Bereich des L- und S-Bands. Diese erreichen bei 2 GHz eine lineare Verstärkung von 18 dB und bei Leistungssättigung einen Wirkungsgrad (Power Added Efficiency, PAE) von über 60% im Klasse-B-Betrieb. Damit eignen sie sich hervorragend für hocheffiziente Leistungsverstärker. Die Transistoren sind in einem Kyocera A191 Mikrowellengehäuse aufgebaut und im Frequenzbereich von 1 GHz bis etwa 4 GHz einsetzbar.