"Vorrichtung zur punktförmigen Fokussierung von Strahlung"
DE 10 2006 027 126 B3

"Anordnung zur Kontaktierung von Einzelkomponenten eines Halbleiterdioden-Moduls"
DE 20 2006 005 664 U1

"Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2004 052 857 B4

"Optoelektronisches Element und Verfahren zur kohärenten Kopplung von aktiven Bereichen optoelektronischer Elemente"
DE 10 2004 038 283 B4

"Mikrowellenantenne für in Flip-Chip-Technologie hergestellte Halbleiterbaugruppen"
DE 10 2004 014 018 B3      EP 1 726 063 B1      US 7 612 728

"Verfahren zur Herstellung eines Doppelheterostruktur-Bipolartransistors für hohe Betriebsspannungen"
DE 103 57 409 B4

"Sättigbarer Halbleiterabsorber und optisch gepumpter Halbleiterlaser zur Erzeugung kurzer Pulse"
DE 203 20 866 U1

"Verfahren zur Herstellung von InP-basierten Heterostruktur-Biopolartransistoren auf der Grundlage von III/V-Halbleitern"
DE 103 30 359 B4

"Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge mittels Ätzen und Halbleiterbauelement"
DE 102 00 360 B4      EP 1 464 098 B1

"Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen von optischen Halbleiterbauelementen"
DE 102 21 952 B4        EP 1 514 335 B1        US 7,338,821 B2

"Verfahren zur Herstellung von oberflächenemittierenden Halbleiter-Bauelementen und oberflächenemittierendes Halbleiter-Bauelement"
DE 101 44 826 B4

"Verfahren zum Wachsen von Galliumnitrid-Halbleitermaterial"
DE 101 36 605 B4

"Verfahren zum anisotropen Strukturieren von Materialien"
DE 101 30 916 B4

"Laserresonatoren mit modenselektierenden Phasenstrukturen"
EP 1 295 371 B1

"III-V-Halbleiterlaser-Bauelement"
DE 199 27 008 B4

"Mikroplasmaarray"
EP 1 836 718 B1

"Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen in Halbleiterwafern"
EP 1 891 670 B1

"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von kohärenter Terahertz-Strahlung"
DE 10 2006 041 728 B4        EP 2 057 720 B1

"Vorrichtung zur Frequenzverdopplung von Laserstrahlung"
DE 10 2007 063 492 B4

"Field effect transistor and method for manufactoring the same"
EP 1 788 634 B1

"Verfahren zur Herstellung von c-plane orientierten GaN- oder AlxGa1-xN-Substraten"
EP 1 841 902 B1

"Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Detektion eines Raman-Spektrums"
US 7,864,311 B2

"Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und Halbleiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad"
DE 10 2009 013 921 B3

"Verfahren zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums"
DE 10 2009 029 648 B3

"Vorrichtung, Tastkopf und Verfahren zur galvanisch entkoppelten Übertragung eines Messsignals"
US 7,893,683 B2

"Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
US 8,003,996 B2

"Elektrode für Plasmaerzeuger"
EP 2 143 306 B1