Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland

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Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globalen Wettbewerb zu stärken, haben sich elf Institute des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik mit dem Ferdinand-Braun-Institut und dem Leibniz-Institut IHP zusammengetan. In einer standortübergreifenden "Forschungsfabrik für Mikroelektronik" bündeln sie seit April 2017 ihre Ressourcen und ihr Know-how in diesem Bereich. Ziel ist es, den Kunden aus Großindustrie, kleinen und mittleren Unternehmen sowie den Universitäten die gesamte Wertschöpfungskette für die Mikro- und Nanoelektronik unkompliziert aus einer Hand anbieten zu können.

  • InP-DHBT auf SiGe-BICOMOS Wafer
    [+] Heterointegrierte Schaltkreise, die die Vorteile zweier Technologiewelten miteinander verbinden: hohe Ausgangsleistungen von Indiumphosphid und die Komplexität der Siliziumtechnologie
  • Ministerin Johanna Wanka und FBH-Direktor Günther Tränkle
    [+] Bundesforschungsministerin Johanna Wanka überreicht den Bewilligungsbescheid an FBH-Direktor Günther Tränkle

Um die zukunftsrelevanten Forschungsthemen möglichst effizient und zeitnah voranzubringen, ist die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland in vier Technologieparks organisiert. Ein Wissensvorsprung in diesen Gebieten ist eine der Grundvoraussetzungen für wichtige Anwendungsbereiche und die nötige Schlagkraft Deutschlands und Europas im internationalen Wettbewerb:

  • Technologiepark 1: Neueste siliziumbasierte Technologien für die Sensorik, Aktuatorik und Informationsverarbeitung
  • Technologiepark 2: Verbindungshalbleiter mit modernsten Materialien für Energiespar- und Kommunikationstechnik
  • Technologiepark 3: Heterointegration – neuartige Kombinationen von Silizium- und anderen Halbleitern, z.B. für das Internet der Dinge
  • Technologiepark 4: Design, Test und Zuverlässigkeit für Entwurf und Entwurfsmethoden, Qualität sowie Sicherheit

F&E-Aktivitäten am FBH

Das FBH bringt im Rahmen der "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland" seine Expertise bei der Entwicklung von energieeffizienten Halbleiter-Komponenten ein. Es erforscht neuartige Materialien und entwickelt die notwendigen Bauelemente für Anwendungen wie Elektromobilität, alternative Energien oder die mobile Kommunikation der Zukunft. Es entwickelt zudem neuartige Bauelemente für den Terahertz-Bereich, unter anderem für die zerstörungsfreie Prüfung, und für die Quantentechnologie, die künftig eine abhörsichere Datenübertragung und hochpräzise Messgeräte ermöglichen soll. Darüber hinaus baut das FBH auch seine bestehende Kooperation mit dem Leibniz-Institut IHP aus. Im Rahmen der Forschungsfabrik wird am FBH eine zusätzliche Prozesslinie mit modernsten Anlagen entstehen, mit der GaN- und InP-Schaltkreiswafer im industriellen Qualitätsmaßstab hergestellt werden können. Diese Prozesslinie beinhaltet zudem die Option, gemeinsam mit dem Leibniz-Institut IHP die InP-Schaltungen auf Silizium-Wafer zu integrieren. Damit lassen sich die hohen Ausgangsleistungen von InP mit der Komplexität der Siliziumtechnologie kombinieren. Auf diese Weise können Höchstfrequenzmodule auf einem Chip realisiert werden, was für tragbare und kostengünstige System-Applikationen entscheidend ist.

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