Dates

Kathodenzerstäubung bei Atmosphärendruck

Roland Gesche
Ferdinand-Braun-Institut, Berlin



FBH seminar: 31.10.2014 (in German)


Asia Pacific Microwave Conference

Meet FBH scientists at the Asia Pacific Microwave Conference and visit our invited talk.



Conference: 04.-07.11.2014 Sendai (Japan)


Collaborative Conference on Crystal Growth

FBH presents an invited lecture at the Collaborative Conference on Crystal Growth



Conference: 04.-07.11.2014 Phuket (Thailand)


Entwicklungszentrum für Prototypen – ein Instrument zur Verwertung von Forschungsergebnissen

Ulrike Winkler
Ferdinand-Braun-Institut, Berlin



FBH seminar: 07.11.2014 (in German)


Betriebliche Qualifizierung im Cluster Optik

This event introduces the project "in-company training in optics".



OpTecBB event: 10.11.2014, Berlin


... translating ideas into innovation

Welcome to the Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik!

hybrid-integrated diode laser modules for display technology

We research cutting-edge technologies in the fields of microwave technology and optoelectronics. For customers in industry and science we provide high-frequency devices and circuits for communication and sensor technology as well as high-power diode lasers for materials processing, laser technology, medical technology and high precision metrology.

As a competence center for III/V-compound semiconductors we operate industry-compatible and flexible clean room laboratories with 2"-4" gas phase epitaxy units and a 2"-4" process line.

News

InP transistors with improved thermal resistance due to integrated diamond heatsink

InP double hetero bipolar transistors (DHBTs) offer the highest output powers available for integrated circuits in the range from 100 GHz to 500 GHz. High output power requires a low thermal resistance in order to keep self-heating of the device at a reasonable level. In order to improve this, the InP-HBT-Transferred-Substrate process at FBH was complemented by an integrated diamond heatsink.



FBH research: 22.10.2014


Nobelpreis ist Anerkennung für beharrliche Ingenieursarbeit

Interview mit Prof. Markus Weyers, Halbleiterspezialist und Leiter der Abteilung Materialtechnologie am FBH zum diesjährigen Nobelpreis für Physik und weiterführende Arbeiten auf dem Gebiet der Leucht- und Laserdioden.



Press release/interview: 13.10.2014 (in German)


Mit pfiffigen Tricks auf dem Weg zum perfekten Kristall

UV-B-Diodenlaser hätten wichtige Einsatzbereiche in der Medizin, in der Mikroelektronik oder Drucktechnik. Hätten, denn es gibt sie noch nicht. Wie solch ein Diodenlaser für kurzwellige Strahlung aufgebaut sein muss, wissen die Forscher bereits seit geraumer Zeit. Doch für die Massenproduktion fehlt noch der wichtigste Teil: die perfekte Kristallunterlage, auf der solche UV-Diodenlaser wachsen müssen. Wissenschaftler am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, präsentierten jetzt die ersten dafür notwendigen Aluminium-Gallium-Nitrid-Kristalle.



Press release: 13.10.2014 (in German)


Mädchen-Technik-Kongress: Licht ins Dunkel!

It's all about light and light-based technologies on the 5th Mädchen-Technik-Kongress on October 10, 2014.



Press release: 09.10.2014 (in German)


Precise measurements with high spatial resolution for optimized violet-blue GaN laser diodes

GaN-based lasers emitting in the blue and violet spectral range still show – compared to lasers in the infrared spectral range – a lower optical output power and a lower efficiency. For the first time, the emission of blue-violet laser diodes has been measured with high spatial resolution to improve the laser parameters. The results are now used to further optimize the layer structure.



FBH research: 07.10.2014